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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
总分
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
9.7
16.5
写入速度,GB/s
5.2
14.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1731
3534
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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