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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
11.9
15.7
写入速度,GB/s
8.5
13.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2855
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
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