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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
11.9
15.9
写入速度,GB/s
8.5
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2800
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
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