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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
55
左右 51% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
55
读取速度,GB/s
11.9
15.8
写入速度,GB/s
8.5
13.8
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2701
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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