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Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
比较
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
总分
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
总分
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.1
5.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.2
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
10.4
11.2
写入速度,GB/s
7.1
5.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1560
1774
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
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Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
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