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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
比较
Kingston HP669238-071-HYC 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
总分
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.3
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
11.3
20.3
写入速度,GB/s
5.5
17.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1913
3762
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
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