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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
比较
Kingston HP698651-154-MCN 8GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
总分
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
总分
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
11.8
16.7
写入速度,GB/s
6.4
10.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2003
2789
Kingston HP698651-154-MCN 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
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