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Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
比较
Kingston KF552C40-16 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
总分
Kingston KF552C40-16 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KF552C40-16 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
13.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
27
读取速度,GB/s
15.5
17.9
写入速度,GB/s
13.2
14.8
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3343
3514
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
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SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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