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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
14.4
17.2
写入速度,GB/s
8.8
13.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2363
3199
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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