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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
总分
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
13.1
15.8
写入速度,GB/s
8.5
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2148
3086
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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