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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
总分
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
13.4
14.0
写入速度,GB/s
9.2
7.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
2663
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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