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Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
比较
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
总分
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
73
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
73
读取速度,GB/s
14.3
14.1
写入速度,GB/s
9.4
7.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2511
1609
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
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