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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
60
左右 -140% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
25
读取速度,GB/s
6.8
14.1
写入速度,GB/s
5.4
8.7
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
2372
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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