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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
95
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
95
读取速度,GB/s
6.8
15.8
写入速度,GB/s
5.4
7.3
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
1518
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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