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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
58
60
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
58
读取速度,GB/s
6.8
18.5
写入速度,GB/s
5.4
9.5
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
1998
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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