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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
差异
规格
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
60
左右 -150% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
24
读取速度,GB/s
6.8
15.6
写入速度,GB/s
5.4
12.1
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
2852
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Frequency (Mhz) *
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