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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 24% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
14.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.4
18.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
37
读取速度,GB/s
18.2
21.4
写入速度,GB/s
14.9
14.3
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
3448
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM的比较
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB RAM的比较
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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