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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Kingston 9965604-027.D00G 8GB

总分
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

总分
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Kingston 9965604-027.D00G 8GB

Kingston 9965604-027.D00G 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 34
    左右 18% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 10.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.9 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 17000
    左右 1.51% 更高的带宽
Kingston 9965604-027.D00G 8GB 需要考虑的原因
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
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规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 10.5
  • 写入速度，GB/s
    14.9 left arrow 8.0
  • 内存带宽，mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3501 left arrow 2262

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM的比较

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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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内存RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
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内存RAM
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Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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内存RAM
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