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Kingston KN2M64-ETB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
比较
Kingston KN2M64-ETB 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
总分
Kingston KN2M64-ETB 8GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
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规格
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Kingston KN2M64-ETB 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
11.7
18.7
写入速度,GB/s
8.0
15.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2037
3594
Kingston KN2M64-ETB 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
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Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
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