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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
26
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
22
读取速度,GB/s
13.9
14.6
写入速度,GB/s
9.5
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2313
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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