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Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
75
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
35
读取速度,GB/s
1,943.5
15.0
写入速度,GB/s
1,672.1
10.1
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
2636
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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