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Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
75
左右 -134% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
32
读取速度,GB/s
1,943.5
18.3
写入速度,GB/s
1,672.1
14.9
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
3149
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
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