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Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
42
75
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.1
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
42
读取速度,GB/s
1,943.5
13.1
写入速度,GB/s
1,672.1
11.5
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
2525
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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