RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

总分
star star star star star
Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

总分
star star star star star
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KVR533D2N4 512MB 需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
报告一个错误
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB 需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    71 left arrow 75
    左右 -6% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.5 left arrow 1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 1,672.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 4200
    左右 4.57 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    75 left arrow 71
  • 读取速度，GB/s
    1,943.5 left arrow 15.5
  • 写入速度，GB/s
    1,672.1 left arrow 8.1
  • 内存带宽，mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    301 left arrow 1922

Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较

Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
内存RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
内存RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
内存RAM
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
内存RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
内存RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
内存RAM