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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
50
左右 -67% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
30
读取速度,GB/s
5,143.3
16.8
写入速度,GB/s
1,905.1
13.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3337
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
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