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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

总分
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

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差异

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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 41
    左右 -58% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.1 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.7 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 18.1
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 13.7
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1988 left arrow 3061

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Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
内存RAM
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Kingston 9965667-001.A00G 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
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Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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