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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
59
左右 -111% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
28
读取速度,GB/s
4,168.0
13.4
写入速度,GB/s
1,855.7
10.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2588
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
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