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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
23.1
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.0
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
26
读取速度,GB/s
10.5
23.1
写入速度,GB/s
7.1
19.0
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
4276
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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