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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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规格
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
29
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
19
读取速度,GB/s
10.5
20.0
写入速度,GB/s
7.1
17.5
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
3499
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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