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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
58
左右 50% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
58
读取速度,GB/s
10.5
18.3
写入速度,GB/s
7.1
8.9
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
2181
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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