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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
比较
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
总分
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
总分
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
14.4
17.9
写入速度,GB/s
9.0
16.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2422
3651
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
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