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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
12.9
18.4
写入速度,GB/s
9.0
14.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3008
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
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