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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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需要考虑的原因
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
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更快的读取速度,GB/s
17.1
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
28
读取速度,GB/s
12.9
17.1
写入速度,GB/s
9.0
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3447
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
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