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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
12.9
14.7
写入速度,GB/s
9.0
11.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2919
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
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