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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
12.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
26
读取速度,GB/s
12.9
14.5
写入速度,GB/s
9.0
8.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2486
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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