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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
23.4
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.9
23.4
写入速度,GB/s
9.0
18.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
4208
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Lenovo 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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