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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston KKRVFX-MIE 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 40% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
47
读取速度,GB/s
12.9
15.0
写入速度,GB/s
9.0
10.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2486
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
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