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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
58
左右 -123% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
26
读取速度,GB/s
4,025.3
19.4
写入速度,GB/s
2,107.0
15.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3783
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
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