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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
58
左右 -152% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
23
读取速度,GB/s
4,025.3
16.7
写入速度,GB/s
2,107.0
11.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2661
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
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