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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
58
左右 -132% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
25
读取速度,GB/s
4,025.3
15.7
写入速度,GB/s
2,107.0
12.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2871
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
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