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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

总分
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 58
    左右 -115% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 2,107.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    58 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    4,025.3 left arrow 14.9
  • 写入速度，GB/s
    2,107.0 left arrow 8.4
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    670 left arrow 2373

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Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
内存RAM
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
内存RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
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Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
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内存RAM
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
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