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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
51
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
25
读取速度,GB/s
15.6
19.8
写入速度,GB/s
11.8
15.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3875
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
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