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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
15.6
17.7
写入速度,GB/s
11.8
15.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3772
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
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