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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
51
左右 -34% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
38
读取速度,GB/s
15.6
9.3
写入速度,GB/s
11.8
6.6
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2107
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
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