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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
51
左右 -24% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
41
读取速度,GB/s
15.6
8.2
写入速度,GB/s
11.8
5.4
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
1704
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
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