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Mushkin 991586 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
比较
Mushkin 991586 2GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
总分
Mushkin 991586 2GB
总分
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991586 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
67
左右 61% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991586 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
67
读取速度,GB/s
13.8
16.2
写入速度,GB/s
7.9
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2156
1798
Mushkin 991586 2GB RAM的比较
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Mushkin 991586 2GB
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Corsair CMX8GX3M2A1333C9 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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