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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
13.9
17.5
写入速度,GB/s
8.6
13.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3171
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
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G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
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