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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston 9965667-001.A00G 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
39
读取速度,GB/s
13.9
10.1
写入速度,GB/s
8.6
7.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2168
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Kingston KF556C40-16 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
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