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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
8.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
13.9
8.7
写入速度,GB/s
8.6
7.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
1999
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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