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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
92
左右 -241% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
27
读取速度,GB/s
2,105.4
17.5
写入速度,GB/s
1,266.1
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
3693
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
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